سهام شرکت اینتل (INTC): تولید آزمایشی 18A-P نقشه راه فاندری را تقویت می‌کند

TLDR

• اینتل با ورود 18A-P به تولید آزمایشی در VLSI، 3.05% رشد کرد.
• سهام INTC با تأیید پیشرفت نقشه راه 18A-P توسط Intel Foundry افزایش یافت.
• اینتل 18A-P بهبودهایی در توان، عملکرد و انعطاف‌پذیری طراحی ارائه می‌دهد.
• اینتل برنامه مقیاس‌بندی تراشه را در حوزه CFET، GaN و روتنیم تشریح کرد.
• به‌روزرسانی Intel Foundry از سهام INTC پس از نوسانات معاملاتی حمایت کرد.

سهام Intel Corporation (INTC) به 120.61 رسید و 3.05% افزایش یافت؛ این پس از پایان یک جلسه پرنوسان با بازیابی قوی بود. سهام در ابتدا افت کرد، اما بعداً زمین از دست رفته را بازیافت و نزدیک به بالاترین سطح روزانه تثبیت شد. این حرکت به دنبال به‌روزرسانی‌های تازه Intel Foundry در سمپوزیوم VLSI 2026 رخ داد.

Intel Corporation, INTC

اینتل 18A-P وارد تولید آزمایشی شد

Intel Foundry اعلام کرد که اینتل 18A-P وارد تولید آزمایشی شده و با جدول زمانی که سال گذشته با مشتریان به اشتراک گذاشته شده بود، مطابقت دارد. این به‌روزرسانی اولین بهبود عملکرد در خانواده فرایند Intel 18A را نشان می‌دهد. همچنین پیام اینتل در مورد اجرای بلندمدت فوندری را تقویت کرد.

شرکت اینتل 18A-P را به عنوان یک ارتقای سازگار با طراحی نسبت به Intel 18A معرفی کرد. به دلیل این سازگاری، مشتریان می‌توانند مالکیت معنوی و جریان‌های طراحی موجود را مجدداً استفاده کنند. این رویکرد می‌تواند اصطکاک را برای طراحان تراشه در حرکت به سمت فرایند بهبودیافته کاهش دهد.

اینتل اعلام کرد 18A-P عملکرد 9% بالاتر را در همان توان ارائه می‌دهد. همچنین توان 18% پایین‌تر را در همان سطح عملکرد ارائه می‌کند. در همین حال، این فرایند ویژگی‌های حرارتی بهتر و گزینه‌های طراحی گسترده‌تری اضافه می‌کند.

به‌روزرسانی‌های فرایند از بهبود عملکرد و توان حمایت می‌کنند

اینتل Power Boost را معرفی کرد، یک گزینه ترانزیستور دو-تماسی برای Intel 18A-P. این ویژگی مقاومت را کاهش می‌دهد، جریان درایو را افزایش می‌دهد و از فرکانس بالاتر در ظرفیت یکسان پشتیبانی می‌کند. در نتیجه، طراحان مسیر دیگری برای بهبود عملکرد تراشه به دست می‌آورند.

شرکت همچنین بهبود 20% تا 40% در مقاومت حرارتی گزارش داد. اینتل از بهبود 10% تا 30% در مقاومت ویا از طریق تغییرات مواد و هندسه یاد کرد. این به‌روزرسانی‌ها جریان گرما، تحویل توان و حرکت سیگنال در لایه‌های تراشه را هدف قرار می‌دهند.

اینتل همچنین گزینه‌های جدید ترانزیستور کم‌توان و پرعملکرد اضافه کرد. یک جفت آستانه ولتاژ منطقی پنجم بین ULVT و LVT را شامل شد. بنابراین، طراحان هنگام متعادل کردن سرعت، توان و بازدهی انعطاف‌پذیری بیشتری دریافت می‌کنند.

ارائه‌های VLSI زمینه بلندمدت‌تری اضافه می‌کنند

اینتل از رویداد VLSI برای ارتباط دادن 18A-P با کارهای قبلی روی Intel 18A استفاده کرد. شرکت سال گذشته ترانزیستورهای gate-all-around و تحویل توان از پشت را به بازار عرضه کرد. این فناوری‌ها اکنون از بهبودهای فرایندی بعدی و برنامه‌های مقیاس‌بندی آینده آن پشتیبانی می‌کنند.

اینتل تحقیقاتی ارائه داد که نشان می‌دهد کاهش 11% در مساحت مسیریابی‌شده و کاهش 10 برابری افت ولتاژ دینامیک. شرکت گفت این دستاوردها می‌توانند از فرکانس تا 6% بالاتر پشتیبانی کنند. همچنین می‌توانند توان دینامیک بیش از 15% پایین‌تر را در مقایسه با فناوری مشابه frontside ممکن سازند.

اینتل همچنین تحقیقات بلندمدت‌تری در حوزه CFET، یکپارچه‌سازی GaN و اتصال روتنیم نشان داد. کار CFET آن، دستگاه‌های NMOS و PMOS را در گام گیت 45 نانومتری روی هم قرار داد. در همین حال، مطالعات GaN و روتنیم مدیریت توان، مقیاس‌بندی اتصالات و بازدهی آینده تراشه را هدف قرار دادند.

این مطلب Intel Corporation (INTC) Stock: 18A-P Risk Production Boosts Foundry Roadmap اولین بار در CoinCentral منتشر شد.